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GeneSiC Semiconductor MBRT20060R
| Artikelnummer: | MBRT20060R |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | GeneSiC Semiconductor |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE MODULE 60V 100A 3TOWER |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | RoHS-konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $102.96 |
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- Spezifikationen
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GeneSiC Semiconductor MBRT20060R Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments MBRT20060R.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 800 mV @ 100 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 60 V Technologie Schottky Supplier Device-Gehäuse Three Tower Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Verpackung / Gehäuse Three Tower Paket Bulk Produkteigenschaften Eigenschaften Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 150°C Befestigungsart Chassis Mount Diodenkonfiguration 1 Pair Common Anode Strom - Sperrleckstrom @ Vr 1 mA @ 20 V Strom - Richt (Io) (pro Diode) 100A Grundproduktnummer MBRT20060 MBRT20060R Einzelheiten PDF [English] MBRT20060R PDF - EN.pdf -
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